晶圆尺寸二维半导体材料异质结的合成与光电器件构筑

采用MOCVD 连续式生长方式制备晶圆尺寸的TMDC 范德华异质结。选择MoS2 和 WSe2 为例，首先分别生长这两种材料的低成核密度、高结晶质量单层薄膜，并在其中一种薄膜表面直接生长范德华异质结，揭示成核与生长动力学机制，建立关键制备技术；并在此基础上设计具有优异性能的范德华异质结光电器件。组成的扭卷式执行器可作为未来人工肌肉等可穿戴器件。

本项目获批省杰出青年科学基金项目；

项目相关技术成果分别在Science和Nature Nanotechnology期刊各发表一篇论文，申请发明专利9项。